Epitaxialis (incrementum)Ga mixtas

In industria semiconductorum, gas adhibitum ad unum vel plura strata materiae crescenda per depositionem vaporis chemici in substrato diligenter selecto gas epitaxialis appellatur.

Inter gasa epitaxialia silicii vulgo adhibita sunt dichlorosilanum, tetrachloridum silicii etsilanumAdhibetur praecipue ad depositionem silicii epitaxialem, depositionem pelliculae oxidi silicii, depositionem pelliculae nitridi silicii, depositionem pelliculae silicii amorphae pro cellulis solaribus aliisque photoreceptoribus, et cetera. Epitaxia est processus quo materia crystallina singularis deponitur et crescit in superficie substrati.

Depositio Vaporis Chemici (CVD) Gas Mixtum

Depositio vaporis chemici (CVD) est methodus deponendi certos elementos et compositos per reactiones chemicas phasis gaseosae utens compositis volatilibus, id est, methodus pelliculae formandae utens reactionibus chemicis phasis gaseosae. Pro genere pelliculae formatae, gas depositionis vaporis chemici (CVD) adhibitum etiam differt.

DopingGas Mixtum

In fabricatione instrumentorum semiconductorum et circuituum integratorum, impuritates quaedam in materias semiconductoras infunduntur ut materiae genus conductivitatis requisitum et resistivitas certa ad resistores, iuncturas PN, strata sepulta, etc. fabricandos praebeantur. Gas in processu infusionis adhibitum gas infusionis appellatur.

Praecipue includit arsinum, phosphinum, trifluoridum phosphori, pentafluoridum phosphori, trifluoridum arsenici, pentafluoridum arsenici,trifluoridum bori, diboranum, etc.

Solet fons dopans cum gas vectore (velut argone et nitrogenio) in armario fontis misceri. Post mixturam, fluxus gasis continue in fornacem diffusionis iniicitur et laminam circumdat, dopantes in superficie laminae deponens, et deinde cum silicio reagendo metalla dopata generans quae in silicium migrant.

ScalpturaMixtura Gasorum

Radere est superficiem tractabilem (velut pelliculam metallicam, pelliculam oxidi silicii, etc.) in substrato sine occultatione photoresistiva radere, area occultatione photoresistiva servata, ut forma imaginandi requisita in superficie substrati obtineatur.

Methodi corrosionis includunt corrosionem chemicam humidam et corrosionem chemicam siccam. Gas in corrosione chemica sicca adhibitum gas corrosionis appellatur.

Gas corrosionis plerumque est gas fluoridum (halogenidum), uttetrafluoridum carbonii, nitrogenii trifluoridum, trifluoromethanum, hexafluoroethanum, perfluoropropanum, etc.