Sulphur Hexafluoride est a Gas cum excellens insulating proprietatibus et saepe in altus-intentione arcus exstinguunt et Transformers, summus intentione transmissionem lineas, transformers, etc. Sed ut electronic et sulphur hexafluoride potest etiam esse electronic et sulphur. Electronic gradu summus puritas sulphure hexafluoride est idealis electronic etchant, quae late in agro Microelectronics technology. Hodie, Niu ruinae Special Gas Editor Yueyue erit inducere applicationem de sulphuris hexafluoride in Silicon Nitride etching et influentiam diversorum parametri.
We discuss the SF6 plasma etching SiNx process, including changing the plasma power, the gas ratio of SF6/He and adding the cationic gas O2, discussing its influence on the etching rate of the SiNx element protection layer of TFT, and using plasma radiation The spectrometer analyzes the concentration changes of each species in SF6/He, SF6/He/O2 plasma and the SF6 Dissocialia rate, et explorat necessitudinem inter mutationem de Sinis etching rate et plasma speciei concentration.
Studiis invenerunt quod cum plasma potestas augetur, etching rate crescit; Si fluunt rate of SF6 in plasma augetur, in f atom concentration crescit et positive connectuntur cum etching rate. In addition, post addendo in cationic Gas o2 sub certo totalis fluunt rate, quod erit effectus augendae et inching rate, sed in diversis o2 / SF6, quod potest esse in tres partes, et non est addit in hoc tempore etc. (II) cum O2 / SF6 fluxus Ratio est major quam 0,2 ad intervallum accessus I, in hoc tempore, propter magnam moles dissociationem SF6 ad formare f atomi, et rate est summa; Sed simul, in Plasma, et o atomis in plasma etiam augendae et est facile ad formare Sioex aut sinusx (yx) cum Sinis superficiem, et magis o athing auget, magis difficile in f atomis erit ad etching reactionem. Ideo etc etching rate incipit tardus et cum O2 / SF6 Ratio est proxima ad I. (III), cum in O2 / SF6 Ratio est major quam I, in Etching Rate decrescat. Ob magna incremento in O2, et dissociandi f atomos Collide cum O2 et forma, quae reducit concentration de f atomos, unde in decrementum in Etching rate. Non potest ex hoc quod cum O2 additur, fluxus Ratio of O2 / SF6 est inter 0.2 et 0,8, et optimum etching rate potest adeptus.
Post tempus: 06-2021 Dec
